Hvordan påvirker temperaturen båndgabet? Når temperaturen stiger, falder båndgabet energi, fordi krystalgitteret udvider sig, og de interatomiske bindinger svækkes. Svagere bindinger betyder mindre energi er nødvendig for at bryde en binding og få en elektron i ledningsbåndet.
Er båndgab-temperaturafhængig?
Temperatureafhængigheden af båndgabet i InN er svagere end for de fleste halvledere. For en prøve med lav fri elektronkoncentration (n=3,5×1017cm-3), er båndgabets variation mellem stuetemperatur og lav temperatur kun 47 meV. Implikationerne af denne lille temperaturkoefficient vil blive diskuteret.
Hvordan påvirker båndgabet den indre bærerkoncentration med reference til temperaturen?
Dette antal bærere afhænger af materialets båndgab og af materialets temperatur. Et stort båndgab vil gøre det vanskeligere for en bærer at blive termisk exciteret over båndgabet, og derfor er den iboende bærerkoncentration lavere i materialer med højere båndgab.
Hvordan påvirker temperaturen Fermi-fordelingen?
Effekt af temperatur på Fermi-Dirac distributionsfunktion
Ved T=0 K, vil elektronerne have lav energi og dermed optage lavere energitilstande. … Men efterhånden som temperaturen stiger, får elektronerne mere og mere energi på grund af hvilket de endda kan stige til ledningsbåndet.
Når halvlederens temperatur hæves, er dens energibåndgab?
Energigabet mellem valancen og ledningsbåndet er meget lille, så ved at hæve temperaturen kan vi få flere elektroner til at vende fra valance til ledningsbinding og derved øge bærerne af elektricitet i halvlederne.
