Dopanter er urenheder, så den kemiske sammensætning ændres ved doping. … Lave tilstande har små ioniseringsenergier; og når dopingtætheden er høj, genererer dopingtilstandene et bånd. Hvis dette bånd er meget tæt på valens- eller ledningsbåndets kant, vil båndgabet mindskes.
Hvorfor mindskes båndgabet?
Båndgab-energien i halvledere har en tendens til at falde med stigende temperatur. Når temperaturen stiger, øges amplituden af atomare vibrationer, hvilket fører til større interatomisk afstand.
Hvad er effekten af doping på båndgabet?
Fordi båndgabet er så lille for halvledere, kan doping med små mængder urenheder dramatisk øge materialets ledningsevne. Doping giver derfor videnskabsmænd mulighed for at udnytte egenskaberne af sæt af elementer, der omtales som "dopanter" for at modulere ledningsevnen af en halvleder.
Hvad sker der, når båndgabet mindskes?
Resultaterne viser, at båndgabets energi stiger med den faldende partikelstørrelse. … På grund af indespærringen af elektronerne og hullerne øges båndgabets energi mellem valensbåndet og ledningsbåndet med aftagende partikelstørrelse.
Hvordan varierer energigabet med doping?
Når en iboende halvleder er dopet med urenhedsatomer med valens fem som As, P eller Sb, en eller anden tilføjelseenerginiveauer produceres, situation i energigabet lidt under ledningsbåndet, som kaldes donorenerginiveauer. På grund af det mindskes energigabet i halvleder.
