Den omvendte gendannelsestid for Schottky-dioder er ekstremt hurtige (men bløde) gendannelsesegenskaber. … Også Schottky-ensrettere har maksimale nominelle overgangstemperaturer typisk i området 125°C til 175°C sammenlignet med de typiske 200°C for konventionelle pn-forbindelser, hvilket yderligere påvirker lækstrømsadfærden.
Hvad er den omvendte restitutionstid for en Schottky-diode?
Omvendt gendannelsestid
Skiftetiden er ~100 ps for småsignaldioderne og op til titusvis af nanosekunder for specielle højkapacitets-effektdioder.
Fungerer Schottky-diode i omvendt bias?
Reverse bias schottky diode
Når der tilføres en reverse bias-spænding til schottky-dioden, udtømningsbredden øges. Som et resultat holder den elektriske strøm op med at flyde. Der løber dog en lille lækstrøm på grund af de termisk exciterede elektroner i metallet.
Er Schottky-diode en hurtig gendannelsesdiode?
Schottky-barrieredioder (SBD'er) har ikke PN-forbindelser; i stedet bruger de Schottky-barrierer, som opstår i krydset mellem et metal og en halvleder såsom N-type silicium. … Fast-gendannelsesdioder (FRD'er) er PN-junction-dioder, men er hurtige dioder med en stærkt forbedret trr.
Hvad kan jeg bruge i stedet for en diode?
Når vi går tilbage til dit oprindelige spørgsmål, er der intet elektrisk element, der kan erstatte en diode (en p–n-forbindelse)andet end et andet p–n-kryds (enten i en diode, transistor eller MOSFET-pakke). Dette element kan forbedres ved at bruge en MOSFET og tilhørende kredsløb for at reducere tab.
